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ROHM成功开发出具有高速开关、低导通电阻特性的高耐压MOSFET

       半导体制造商ROHM株式会社 (总部设在京都市) 成功开发出面向液晶电视的背光逆变器、照明用逆变器、马达驱动器和开关电源等所有使用桥接电路的装置,其性能达到业界超高水平※的高耐压功率MOSFET「F系列」。这一新产品系列预定从2009年2月开始供应样品 (样品价格300日元/个),并于2009年4月开始以月产100万个的规模批量生产。按计划,生产过程的前一段工序安排在ROHM/阿波罗器件株式会社(福冈县)、 ROHM筑波株式会社(茨城县) 进行;后一段工序则将在ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. (泰国) 完成。
       近年来,随着液晶电视机等需要节能化的装置市场逐步扩大,对应用于这些装置的电源外围的晶体管等半导体器件也提出了高效率化和削减元器件数量的要求。现在,作为高效率产品的500 to 600V级高耐压MOSFET,采用传统平面结构的已经不多,而开关速度快、导通电阻低的超结结构成了主流。但是,超结结构在结构上存在一个需要破解的课题,那就是内部二极管的反向恢复时间 (以下称为: trr) 长。因此,在应用于有再生电流流过MOSFET的内部二极管的桥接电路等情况时,为了提高高频随动性而需要在漏-源极间并联接入快速恢复二极管(以下称为: FRD)。
      新开发的「F系列」为使trr达到高速化,成功地在超结MOSFET的元件内部形成局部的陷阱能级,从而使得trr从160ns缩短为70ns,也就是比普通的超结结构产品缩短约60%,这在业界前所未有。虽然在元件内部形成陷阱能级就可以缩短trr,但这对于超结结构来说无论在结构上,还是在制造工艺上都是难点。然而,这一次ROHM解决了这一难题,在世界上首先开发出在元件内部形成局部陷阱能级的超结MOSFET。于是,无需接入FRD就可以应用于桥接电路,这对削减元器件数量、减小基片面积和达到高频化,使得变压器等小型化,从而实现装置小型化、低成本化有很大的贡献。
      ROHM今后还要以这次开发成功的「F系列」为首,
      充分利用ROHM独创的领先进制造工艺,努力开发能够抢先满足用户需求的晶体管产品。
※对导通电阻、开关速度、内部二极管反向恢复时间 (trr) 进行综合评价的性能
■高速trr、高速开关高耐压MOSFET「F系列」的主要特长
     1. 形成陷阱能级,从而实现高速trr化 (比传统约缩短60%)
     2. 高速开关: RDS(on)×Qgd = 7.3Ω/nC 
     3. 低导通电阻 : 4.3Ω/mm2

2007/1/26
 
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